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    • 半導體摻雜濃度越高,兩種載流子的濃度是否都越大?

      半導體中的電子和空穴,在熱平衡時,它們的濃度保持為一定的常數;但這是一種動態平衡,它們一邊復合、又一邊產生,在一定的溫度下即保持為確定的數值。例如n型半導體,在熱平衡情況下,如果再摻入施主使得電子濃度進一步增大,則電子與空穴復合的幾率也相應地增大,于是會導致少數載流子——空穴的濃度有明顯地降低。因此,半導體的摻雜濃度越高,多數載流子濃度就越大,而少數載流子濃度也就越小。半導體熱平衡載流子濃度之間存

    • 半導體的多數載流子濃度和少數載流子濃度與溫度的關系是一樣的嗎?

      半導體在任何溫度下,都將遵從熱平衡條件:np=ni2。因此多數載流子與少數載流子是相互制約著的。多數載流子主要來自于摻雜,而少數載流子都來自于本征激發(屬于本征載流子)。當通過摻雜、增大多數載流子濃度時,則多數載流子與少數載流子相互復合的機會增加,將使得少數載流子濃度減??;當升高溫度,少數載流子濃度將指數式增大,并且它與多數載流子相互復合的機會也增加,仍然維持著熱平衡關系。在溫度不是很高時,增加的

    • 什么是本征半導體?

      正解:實際上,電阻率很高的半導體,不一定都是本征半導體。首先要搞清楚本征半導體的實質。凡是兩種載流子都對導電起同樣作用的半導體,就稱為本征半導體。因此,平衡電子濃度和平衡空穴濃度相等的半導體,即為本征半導體;從而本征半導體的條件是:no=po=ni??梢?,未摻雜的半導體確實是本征半導體,但是摻雜半導體在高溫下也可以轉變為本征半導體。因為多數載流子主要是由摻雜提供的,則在雜質全電離時,多數載流子濃度

      2017-09-30 04\:49
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