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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容及阻容元件的選擇

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    【摘要】:
    一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路?! ∥覀冎?,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開

    一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路。

      我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。

      在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導通現象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。

      為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管(可控硅)。同時,避免電容器通過晶閘管(可控硅)放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管(可控硅)。

      由于晶閘管(可控硅)過流過壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。

      二、整流晶閘管(可控硅)阻容吸收元件的選擇

      電容的選擇:

      C=(2.5-5)×10的負8次方×If
      If=0.367Id
      Id-直流電流值
      如果整流側采用500A的晶閘管(可控硅)
      可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5mF
      選用2.5mF,1kv 的電容器

      電阻的選擇:

      R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
      選擇10歐
      PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2
      Pfv=2u(1.5-2.0)
      u=三相電壓的有效值

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