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    半導體的多數載流子濃度和少數載流子濃度與溫度的關系是一樣的嗎?

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    【摘要】:
    半導體在任何溫度下,都將遵從熱平衡條件:np=ni2。因此多數載流子與少數載流子是相互制約著的。多數載流子主要來自于摻雜,而少數載流子都來自于本征激發(屬于本征載流子)。當通過摻雜、增大多數載流子濃度時,則多數載流子與少數載流子相互復合的機會增加,將使得少數載流子濃度減??;當升高溫度,少數載流子濃度將指數式增大,并且它與多數載流子相互復合的機會也增加,仍然維持著熱平衡關系。在溫度不是很高時,增加的

    半導體在任何溫度下,都將遵從熱平衡條件:np=ni2。 因此多數載流子與少數載流子是相互制約著的。多數載流子主要來自于摻雜,而少數載流子都來自于本征激發(屬于本征載流子)。當通過摻雜、增大多數載流子濃 度時,則多數載流子與少數載流子相互復合的機會增加,將使得少數載流子濃度減??;當升高溫度,少數載流子濃度將指數式增大,并且它與多數載流子相互復合的 機會也增加,仍然維持著熱平衡關系。在溫度不是很高時,增加的本征載流子濃度將遠小于摻雜所提供的多數載流子濃度,因此對于多數載流子而言,可以認為其濃 度基本上就等于摻雜濃度,與溫度的關系不大。當然,在溫度高到使得本征載流子濃度增大到等于或大于多數載流子濃度時,就變成以本征載流子導電為主的半導體了,即為本征半導體,這時摻雜的貢獻即可忽略了。

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